吴德馨在20世纪70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。
随后，吴德馨在20世纪80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。20世纪90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。
j9九游会真人国际第一247.92MB
查看
ayx体育app官方网站入口109.13MB
查看
三亿体育app体育官网登录入口86.3MB
查看
星空体育app网页版入口836.60MB
查看
网友评论更多
888宰永姬e
日韩股市大幅高开 韩国股市涨逾4%
2026/04/06 推荐
5781步静真673
崔永元：向范冰冰致歉 “4天6000万合同”与她无关
2026/04/05 推荐
845沈谦堂hg
俄罗斯国防部消息，俄罗斯防空部队在六小时内击落了42架乌克兰无人机。
2026/04/04 不推荐